標簽：存儲器
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高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖
發(fā)布時間：2022年01月15日，查看次數(shù)：361隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 （HAR） 刻蝕和極紫外 （EUV） 光刻發(fā)展，泛林集團正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案。 增加3D NAND閃存存儲容量的一種方法是堆棧加層，但堆棧高度的增加會帶來更大的挑戰(zhàn)。雖然這些挑戰(zhàn)中很明顯的是結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性問題，但層 -
高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖
發(fā)布時間：2022年01月10日，查看次數(shù)：287隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 （HAR） 刻蝕和極紫外 （EUV） 光刻發(fā)展，泛林集團正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案。 增加3D NAND閃存存儲容量的一種方法是堆棧加層，但堆棧高度的增加會帶來更大的挑戰(zhàn)。雖然這些挑戰(zhàn)中很明顯的是結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性問題，但層 -
存儲器市場下半年將進入遲緩期
發(fā)布時間：2014年09月01日，查看次數(shù)：1344存儲器市場下半年將進入遲緩期2014年上半表現(xiàn)良好的存儲器半導體市場，下半年恐烏云密布。 7月以來大陸智能型手機市場需求縮水，又接連傳來領(lǐng)導企業(yè)的設(shè)備投資消息，讓供給過剩的憂慮日漸升高，而專家之間對市場展望的正反面意見紛歧。據(jù)ET News報導，日前的業(yè)界消息傳出，存儲器半導體市場上半年達到高點，下半年恐將進入成長遲緩期。主要原因為大陸智能型手機市場，2014年上半為止都保持陡峭的上升曲線，帶動存儲器半導體的需求，然而7月之后成長趨勢漸緩。大陸智能型手機受到5月起縮…
