標(biāo)簽：晶體管
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射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇
發(fā)布時(shí)間：2022年01月29日，查看次數(shù)：288當(dāng)世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時(shí)，信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應(yīng)用上，還對(duì)能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò)性能目標(biāo)對(duì)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件提出了一系列新的要求，增加了對(duì)高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MI -
3個(gè)方法，為反相電軌創(chuàng)建一個(gè)程控輸出電壓
發(fā)布時(shí)間：2021年08月18日，查看次數(shù)：437在很多應(yīng)用中，尤其是測試和測量領(lǐng)域，您都需要借助外部裝置或數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器設(shè)置反相降壓/升壓穩(wěn)壓器的輸出電壓。在常規(guī)的降壓拓?fù)渲校@種操作很簡單：只需要借助一個(gè)帶有串聯(lián)電阻器的電壓電源、一個(gè)電流源或者一個(gè)DAC將電流導(dǎo)入反饋節(jié)點(diǎn)，如圖1所示。 “圖1.采用降壓拓?fù)涞目删幊屉妷?rdquo;圖1.采用降壓拓?fù)涞目删幊屉妷? 但是 -
ADALM2000實(shí)驗(yàn)：調(diào)節(jié)基準(zhǔn)電壓源
發(fā)布時(shí)間：2021年06月27日，查看次數(shù)：392本實(shí)驗(yàn)旨在構(gòu)建和研究多種類型的基準(zhǔn)電壓源/穩(wěn)壓器，分為以下幾部分： ? 可調(diào)基準(zhǔn)電壓源 ? 增強(qiáng)基準(zhǔn)電壓源 ? 分流穩(wěn)壓器 調(diào)節(jié)基準(zhǔn)電壓源 目標(biāo) 可以將先前實(shí)驗(yàn)中的零增益放大器（Q1、R2）和穩(wěn)定電流源（Q2、R3）與負(fù)反饋中的PNP電流鏡級(jí)（Q3、Q4）配合使用，以構(gòu)建在一定的輸入電壓范圍內(nèi)提供恒定或可調(diào)
