新材料 a-BN被發(fā)現(xiàn)，次世代半導體有望加速現(xiàn)身
有四種常見類型的晶體：離子晶體，原子晶體，分子晶體和金屬晶體。氮化硼具有高硬度，耐高溫2000℃，在氮氣壓力下熔點3000℃，不溶于冷水，微溶于熱酸，等等。從分子結構的觀點來看，BN中的氮原子和硼原子通過共價鍵的作用結合在一起。因此，氮化硼是原子晶體。
三星先進技術研究院(Samsung Advanced Institute of Technology，簡稱 SAIT)研發(fā)出新的半導體材料──「非晶質氮化硼」(amorphous boron nitride，簡稱 a-BN)，有望讓次世代半導體加速現(xiàn)身。
三星官網(wǎng) 6 日稱，SAIT、南韓蔚山國家科學技術研究院(Ulsan National Institute of Science and Technology)、英國劍橋大學，合力發(fā)現(xiàn)了新材料 a-BN，此一結果刊載于知名科學期刊《Nature》。
SAIT 致力于發(fā)展 2D 材料，也就是只有一層原子的晶體材料。該機構持續(xù)研究石墨烯，在石墨烯晶體管以及如何制作大型單晶的晶圓級石墨烯方面，達成了破天荒的研究成果。
SAIT 石墨烯計劃主管和主要研究員 Hyeon-Jin Shin 說：為了加強石墨烯和以硅為基礎半導體制程的兼容性，要在半導體基板上生成晶圓級石墨烯，必須在攝氏 400 度以下的低溫進行。
新發(fā)現(xiàn)的材料名為 a-BN，從白色石墨烯淬煉而出，內部的氮和硼原子成六角形排列，但是分子結構與白色石墨烯相當不同。a-BN 介電常數(shù)(dielectric constant)極低，只有 1.78，并有強大的電子和機械特質，能作為隔絕材料，讓電子干擾最小化。a-BN 可望廣泛用于 DRAM、NAND 內存，特別是大型服務器的次世代內存解決方案。
