增強型（Enhancement-mode）和耗盡型（Depletion-mode）MOSFET是金屬氧化物半導體場效應管的兩種基本工作模式，它們在導通特性、閾值電壓和應用場景上存在本質區(qū)別。以下是詳細對比分析：

1. 閾值電壓（???(??)VGS(th)）與導通機制

特性	增強型MOSFET	耗盡型MOSFET
默認狀態(tài)	常斷（Normally-OFF）	常通（Normally-ON）
閾值電壓	???(??)>0VGS(th)>0（N溝道）	???(???)<0VGS(off)<0（N溝道）
導通條件	???>???(??)VGS>VGS(th)	???>???(???)VGS>VGS(off)（需負壓關斷）
溝道形成	需外加柵壓形成反型層	制造時已預置溝道，柵壓可耗盡載流子

 

關鍵區(qū)別：

 

• 增強型MOSFET的溝道在零柵壓（???=0VGS=0）時不存在，必須施加柵極電壓才能導通。
• 耗盡型MOSFET在零柵壓時已存在溝道，需施加反向柵壓（如N溝道需 ???<0VGS<0）才能關斷。

2. 轉移特性曲線對比

• 增強型（以N溝道為例）：
  • 當 ???<???(??)VGS<VGS(th)，??≈0ID≈0。
  • 當 ???>???(??)VGS>VGS(th)，??ID 隨 ???VGS 增大而上升。
• 耗盡型（以N溝道為例）：
  • 當 ???=0VGS=0，??=????ID=IDSS（飽和漏電流）。
  • 當 ???<???(???)VGS<VGS(off)，溝道完全耗盡，??≈0ID≈0。

3. 典型應用場景

類型	應用場景
增強型	- 數(shù)字電路（CMOS邏輯門、CPU晶體管）   - 開關電源（高頻開關） - 通用放大電路
耗盡型	- 模擬電路（恒流源、線性放大器）   - 射頻電路（高頻率穩(wěn)定性） - 特殊工業(yè)控制

 

增強型優(yōu)勢：

• 低靜態(tài)功耗（常斷特性適合數(shù)字電路）。
• 易于集成（CMOS工藝主流選擇）。

耗盡型優(yōu)勢：

• 零偏置時可工作（簡化偏置電路設計）。
• 抗噪聲干擾強（適合射頻和線性應用）。

4. 結構差異

• 增強型：

  襯底與溝道間無預摻雜，柵壓需克服閾值電壓才能形成導電溝道。

• 耗盡型：

  制造時通過離子注入預形成溝道，柵壓用于控制溝道載流子濃度。